天眼查顯示，清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年6月28日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118263325A。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體功率器件及其制備方法，半導(dǎo)體功率器件包括：半導(dǎo)體襯底層；位于所述半導(dǎo)體襯底層一側(cè)的漂移層；位于所述漂移層中的柵極結(jié)構(gòu)；阱區(qū)，分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的漂移層中；在所述漂移層中圍繞所述柵極結(jié)構(gòu)的底面和部分側(cè)壁的保護(hù)單元；所述保護(hù)單元包括：第一摻雜保護(hù)層，位于所述柵極結(jié)構(gòu)部分底部的漂移層中；第二摻雜保護(hù)層，位于所述柵極結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁和部分底部的漂移層中，所述第一摻雜保護(hù)層的導(dǎo)電類型和所述阱區(qū)的導(dǎo)電類型相同且和所述第二摻雜保護(hù)層的導(dǎo)電類型相反，所述第二摻雜保護(hù)層的摻雜濃度大于所述漂移層的摻雜濃度，所述第二摻雜保護(hù)層和所述第一摻雜保護(hù)層構(gòu)成PN結(jié)。提高了對(duì)柵介質(zhì)層的保護(hù)。