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歐洲1nm、光芯片試驗線啟動

發(fā)表于:2025-01-21 來源:半導體產業(yè)網 編輯:

 歐洲四大領先研究機構的負責人齊聚一堂,共同啟動首批五條歐盟《芯片法案》試驗線。

比利時imec的 Luc Van den hove、法國CEA-Leti的 François Jacq、德國Fraunhofer-Gesellschaft的Albert Heuberger、意大利Consiglio Nazionale delle Ricerche的Stefano Fabris和西班牙ICFO的Valerio Pruneri與新任歐盟委員會副主席Henna Virkkunen會面。試驗線旨在彌合研究創(chuàng)新與制造之間的差距,加強CMOS的半導體生態(tài)系統(tǒng)。

由imec主辦的這條耗資14億美元的NanoIC試驗線將超越目前正在開發(fā)的2nm工藝技術,覆蓋從1nm到7A(0.7nm)工藝。其他合作伙伴包括芬蘭VTT、羅馬尼亞CSSNT、愛爾蘭廷德爾國家研究所以及光刻設備制造商ASML。

imec還與其他由CEA-Leti協(xié)調的低功耗FD-SOI(FAMES試點生產線)、由Fraunhofer-Gesellschaft協(xié)調的異構系統(tǒng)集成(APECS試點生產線)以及由ICFO協(xié)調的光子集成電路(PIXEurope)試點生產線合作,第五條試點生產線由意大利Consiglio Nazionale delle Ricerche領導,專注于新型寬禁帶材料(WBG)。APECS生產線已于去年12月啟動運營。

“APECS試驗線的一個關鍵資產是其分散的結構,它結合了來自德國及其他地區(qū)合作伙伴的專業(yè)知識,”Fraunhofer IPMS項目經理Kai Zajac表示。

“APECS一站式服務中心位于柏林,為客戶提供異構集成和Chiplet(小芯片)技術的定制解決方案。在這里,客戶與APECS合作,確定最終產品的最佳路徑。一旦概念成型,APECS龐大的合作伙伴網絡將與客戶深入合作,打造最終的原型和產品,”他補充道。

法國格勒諾布爾CEA-Leti的生產線正在開發(fā)一種FD-SOI低功耗工藝,工藝精度可達10nm,超越目前的22nm工藝技術。

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