天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年11月29日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN119049972A。

本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法，該方法包括：獲取N型碳化硅襯底，并在N型碳化硅襯底的正面生長(zhǎng)N型碳化硅外延層，在N型碳化硅襯底的背面生成漏極金屬層；N型碳化硅外延層的頂部表面的第一區(qū)域依次注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)，以形成相鄰的N型摻雜區(qū)域和第一P型摻雜區(qū)域；在第一區(qū)域中通過(guò)光刻工藝刻蝕形成溝槽；在溝槽內(nèi)，由外向內(nèi)依次生成第一柵極氧化層、多晶硅層和屏蔽柵；在多晶硅層上形成金屬鏈接孔；在溝槽的開(kāi)口處沉積第二柵極氧化層，以覆蓋溝槽開(kāi)口；在第二柵極氧化層的頂部表面生長(zhǎng)源極金屬層。利用本發(fā)明公開(kāi)的方法，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中碳化硅溝槽型MOSFET器件的溝槽底部的兩個(gè)角落的柵氧化層易被擊穿的問(wèn)題。