美國芝加哥大學普利茲克分子工程學院團隊展示了界面生物電子學領域的新突破：他們創造出具有強大半導體功能的新型水凝膠材料。
作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。
國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218
國家知識產權局信息顯示，漢斯半導體（江蘇）有限公司取得一項名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權公告號 CN 221871
壓力之下，聞泰科技如何在逆境中找到破局之道，不僅穩固了市場地位，更實現了業績的飛躍？
拜登政府敲定針對美國個人和公司投資中國先進技術的限制，其中包括半導體、量子計算和人工智能（AI）。新規旨在防止美國資本和專業知識被用來幫助中國開發先進科技關鍵技術。
由于先進封裝可以大幅提高芯片良率、降低設計復雜度及減少芯片制造成本，已成為美日對華半導體競爭的最前沿。
總投資30億元！盤古半導體多芯片高密度板級扇出先進封裝項目喜封金頂
國家知識產權局信息顯示，蘇州高視半導體技術有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統的晶圓檢測方法及其相關產品的專利，公開號 C
德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠
10月26日，總投資10億元的普創先進半導體產業園項目已全面竣工投產。東莞日報消息稱，該項目由東莞普萊信智能技術有限公司籌劃，
遠山半導體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實現了1200V高耐壓，并且展現出了極低的界面電容和優良的熱阻 ，極快的開關速度，同時克服了氮化鎵器件容易發生的電流崩塌問題。測試結果顯示各項性能指標均達到行業領先水平，意味著其產品在性能、質量和可靠性方面具備優勢，有更強的市場競爭力。
泛半導體產業園位于武漢經開綜合保稅區，由經開產投集團承建，項目總投資約3.4億元。
杭州鎵仁半導體實現氧化鎵晶體生長技術重大突破
10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。隨著會津工廠的投產，加上德州
天眼查顯示，北京北方華創微電子裝備有限公司一種進氣管的清洗方法及半導體工藝設備專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請
美國麻省理工學院團隊在電子制造領域取得一項重要進展：他們利用全3D打印技術，制作出了不需要半導體材料的有源電子設備器件。
2024年10月23日，縱慧芯光官宣隨著最后一方混凝土的澆筑，3英寸化合物半導體芯片制造項目封頂儀式圓滿完成。據中電三公司8月消息
亨科新材料（江蘇）有限公司半導體超純流體配件制造項目開工建設。
國家知識產權局信息顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司申請一項名為接觸孔自對準的MOSFET制造方法的專利，公開號 CN 11876299