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5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來《寬禁帶半導體3D集成技術(shù)》的主題報。報告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，西安電子科技大學集成電路學部/教授、芯豐澤半導體創(chuàng)始人宋慶文將受邀出席論壇，并帶來《高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展》的主題報告，報告將介紹包括高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進展，討論高性能SiC功率器件關(guān)鍵性能提升和可靠性等方面熱點問題，敬請關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，西安電子科技大學教授趙勝雷將受邀出席論壇，并帶來《GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討》的主題報告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江南大學教授/博導黃偉將受邀出席論壇，并帶來《高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究》的主題報告，將聚焦宇航電子領(lǐng)域?qū)Ω呖煽抗β势骷钠惹行枨螅窒硐嚓P(guān)最新研究成果，敬請關(guān)注！

最新報告嘉賓公布！2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD2025）

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，廣東工業(yè)大學副教授周賢達將受邀出席論壇，并分享《功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)》的主題報告。

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時，通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術(shù)中心負責人邢衛(wèi)兵受邀將出席論壇，并分享《新能源時代半導體封測技術(shù)與趨勢》的主題報告，將圍繞汽車半導體封裝趨勢等分享探討。敬請關(guān)注！

美國東部時間4月11日晚10點36分，美國海關(guān)與邊境保護局（CBP）發(fā)布了關(guān)于互惠關(guān)稅豁免的更新指南。其中列出了一系列特定HTSUS代

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為功率半導體器件和制造功率半導體器件的方法的專利，公開號 CN 1197

核心裝備的技術(shù)進步與創(chuàng)新是推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要底座，隨著行業(yè)對于高性能、高可靠性的化合物半導體器件需求日益增長，化合物半導體核心裝備平行論壇將圍繞化合物半導體制造過程中的關(guān)鍵裝備，探討其最新技術(shù)進展、應(yīng)用挑戰(zhàn)及未來發(fā)展趨勢。

2025年5月22-24日 ，2025中國功率半導體器件與集成電路會議 （CSPSD 2025)將于南京召開！

西安產(chǎn)業(yè)投資基金近日宣布，西投控股對龍騰半導體股份有限公司進行追加投資，全力支持其8英寸功率半導體器件制造項目二期晶圓產(chǎn)線的建設(shè)進程。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司取得一項名為半導體器件、半導體器件的元胞結(jié)構(gòu)及掩模板的專利，授權(quán)公告號

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為寬禁帶半導體器件的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為202

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設(shè)備的專利，公開號 CN 119153

2025年4月23-25日，九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航！

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽長飛先進半導體有限公司申請一項名為半導體器件的處理方法及半導體器件的專利，公開號CN 118888436

富特科技（301607）10月22日發(fā)布投資者關(guān)系活動記錄表，公司于2024年10月22日接受2家機構(gòu)調(diào)研，機構(gòu)類型為其他。 投資者關(guān)系活動

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項名為功率半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法的專利，公開號 CN 118748202

中科院金屬研究所的信息顯示，在山西大學韓拯教授領(lǐng)銜下，中國科學院金屬研究所李秀艷研究員、遼寧材料實驗室王漢文副研究員、中